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OCTOPLUS-O 400 德國(guó)Eberl MBE-Komponent 分子束外延系統(tǒng)
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德國(guó)Eberl MBE-Komponent 分子束外延系統(tǒng)OCTOPLUS-O 400，是專門為氧化物薄膜生長(zhǎng)設(shè)計(jì)的MBE系統(tǒng)。利用差分抽氣的原理使得加熱源可以在氧氣或者臭氧環(huán)境下生長(zhǎng)氧化物薄膜。適用于2英寸晶圓及2英寸以下小尺寸樣品。豎直分割式腔體設(shè)計(jì)，可以裝配各種源爐，實(shí)現(xiàn)不同材料分子束外延生長(zhǎng)。
系統(tǒng)特點(diǎn)：
● 強(qiáng)差分抽氣，雙氣壓區(qū)設(shè)計(jì)
● 高溫下耐臭氧的SiC樣品加熱器
● 靠近樣品臺(tái)設(shè)計(jì)的臭氧噴氣環(huán)
● 濃縮或者非濃縮臭氧源
● 原位生長(zhǎng)表征
● 可伸縮式源爐設(shè)計(jì)，不破壞真空換料
● 9個(gè)MBE蒸發(fā)源CF法蘭口，可選配額外3個(gè)
● 可兼容多坩堝式電子束蒸發(fā)
我們可以根據(jù)所有客戶的要求，提供不同種類的蒸發(fā)源，包括K-cell、電子束蒸發(fā)源、熱裂解源、閥式裂解源、氣體裂解源等?？梢允褂檬⒕д?，反射式高能電子衍射儀(RHEED)或者四極桿質(zhì)譜儀實(shí)現(xiàn)樣品生長(zhǎng)的原位監(jiān)測(cè)。
區(qū)域1(藍(lán)色)
● 氧化物生長(zhǎng)區(qū)
● O2和O3的局域高壓
● 靠近樣品臺(tái)的臭氧噴環(huán)，噴環(huán)與樣品之間距離可調(diào)
● 較低的臭氧消耗
● 高溫下耐臭氧的SiC加熱器
● 強(qiáng)差分抽氣
區(qū)域2(黃色)
● 蒸發(fā)源區(qū)
● 通向區(qū)域1的開放小孔形成的低壓區(qū)
● 獨(dú)立的分子泵
● 明顯低于區(qū)域1的氣壓
● 限量通過式隔板
● 無(wú)需獨(dú)立地對(duì)每個(gè)蒸發(fā)源進(jìn)行差分抽氣
● 可集成多坩堝的電子束蒸發(fā)
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