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尼康主要的光刻機(jī)型號(hào)及其關(guān)鍵參數(shù)

尼康（Nikon）是光刻機(jī)領(lǐng)域的重要廠商之一，尤其在DUV（深紫外）光刻機(jī)市場(chǎng)中占據(jù)重要地位。以下是尼康主要的光刻機(jī)型號(hào)及其關(guān)鍵參數(shù)，涵蓋i-line、KrF和ArF等技術(shù)節(jié)點(diǎn)，以及與EUV（極紫外）相關(guān)的信息。

1. i-line 光刻機(jī)（365nm）

適用于成熟制程（如IC、MEMS、功率器件等）：

NSR-SF150

分辨率：≥0.35 μm

套刻精度：≤10 nm

產(chǎn)能：≥200 wph（300mm晶圓）

應(yīng)用：半導(dǎo)體封裝、LED制造等。

NSR-2205iL1

分辨率：0.4 μm

曝光場(chǎng)尺寸：22×22 mm

適用晶圓：200mm/300mm

2. KrF 光刻機(jī)（248nm）

適用于中端制程（如180nm~65nm節(jié)點(diǎn)）：

NSR-S620D

分辨率：≤0.13 μm（通過(guò)分辨率增強(qiáng)技術(shù)）

套刻精度：≤5 nm

產(chǎn)能：≥180 wph（300mm晶圓）

特點(diǎn)：支持雙工件臺(tái)（Dual Stage）技術(shù)。

NSR-S305F

分辨率：0.11 μm

套刻精度：≤7 nm

適用晶圓：200mm

3. ArF 光刻機(jī)（193nm Dry/Wet）

適用于先進(jìn)制程（65nm~7nm，配合多重曝光）：

干式 ArF（Dry）

NSR-S631E

分辨率：≤65 nm（單次曝光）

套刻精度：≤3 nm

產(chǎn)能：≥150 wph

應(yīng)用：CMOS、存儲(chǔ)器等。

浸沒(méi)式 ArF（Immersion）

NSR-S635E

分辨率：≤38 nm（單次曝光）

套刻精度：≤2.5 nm

產(chǎn)能：≥140 wph

特點(diǎn)：支持液浸技術(shù)（NA≥1.30），用于7nm/10nm節(jié)點(diǎn)（需多重曝光）。

NSR- S636E（最新型號(hào)）

分辨率：≤32 nm（單次曝光）

NA值：1.35

套刻精度：≤2 nm

產(chǎn)能：≥160 wph

4. EUV 光刻機(jī)（極紫外，13.5nm）

尼康曾研發(fā)EUV技術(shù)，但當(dāng)前市場(chǎng)由ASML主導(dǎo)。尼康的EUV光刻機(jī)未大規(guī)模商用，僅限實(shí)驗(yàn)用途：

NSR-EUVL（原型機(jī)）

波長(zhǎng)：13.5 nm

分辨率：≤16 nm

光源功率：低（與ASML差距較大）

現(xiàn)狀：已暫停開(kāi)發(fā)，轉(zhuǎn)向High-NA EUV預(yù)研。

5. 電子束光刻（EBL）

NSR-EB1

分辨率：≤10 nm（直接寫(xiě)入）

應(yīng)用：掩模版制作、納米器件研發(fā)。

關(guān)鍵參數(shù)對(duì)比表

尼康 vs. ASML

優(yōu)勢(shì)：尼康在成熟制程（i-line/KrF）中性?xún)r(jià)比高，維護(hù)成本低。

劣勢(shì)：在EUV和High-NA領(lǐng)域落后于ASML，ArF浸沒(méi)式機(jī)型市場(chǎng)份額較小。