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英國Oxford 開放式樣品載入原子沉積（ALD）設備OpAL 

緊湊型開放式樣品載入原子層沉積（ALD）系統(tǒng)

OpAL提供了專業(yè)的熱ALD設備，可以簡單明了的升級使用等離子體，使得在同一緊湊設備中集成了等離子體和熱ALD。

開放式樣品載入熱ALD，集成等離子體技術(shù)
現(xiàn)場升級到可使用等離子體
從小晶片到200mm大晶片

適用于學術(shù)、產(chǎn)業(yè)、研發(fā)的熱和/或等離子體化學產(chǎn)品，可用于：

氧化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O5
氮化物：TiN, Si3N4
金屬： Ru, Pt

ALD應用舉例：

納米電子學
高k柵極氧化物
存儲電容器絕緣層-銅連線間的高縱橫比擴散勢壘區(qū)
有機發(fā)光二極管和聚合物的無針孔鈍化層
鈍化晶體硅太陽能電池
應用于微流體和MEMS的高保形涂層
納米孔結(jié)構(gòu)的涂層
生物微機電系統(tǒng)
燃料電池

直觀性強的的軟件提高性能

使用與牛津儀器的值得信賴的Plasmalab ®產(chǎn)品家族相同的軟件平臺， OpAL的程序驅(qū)動、多用戶級別、PC2000TM控制的軟件易于操作且可為快速ALD做相應修改。