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NANO-MASTER的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)PECVD系統(tǒng):

NPE-4000 計算機(jī)控制的獨(dú)立式PECVD系統(tǒng)

NRP-4000 計算機(jī)控制的獨(dú)立式RIE/PECVD雙系統(tǒng)

NSP-4000 計算機(jī)控制的獨(dú)立式 Sputter/PECVD雙系統(tǒng)

NPE-3500 計算制控制的緊湊型獨(dú)立式PECVD系統(tǒng)

NPE-3000 計算機(jī)控制的臺式PECVD系統(tǒng)

NPE-1000 簡化型臺式PECVD系統(tǒng)

NANO-MASTER的NPE-4000 PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)可以制造高質(zhì)量的氧化硅、氮化硅、碳納米管、金剛石和碳化硅等薄膜。根據(jù)不同的應(yīng)用，可以使用射頻淋浴頭、中空陰極、ICP或微波等離子源進(jìn)行沉積鍍膜。分別通過增加ICP電感耦合等離子源升級為ICPECVD電感耦合等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，增加遠(yuǎn)程微波源升級為MPECVD微波等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)。

基板可以容納8英寸晶圓，可通過射頻、脈沖直流或者直流電源提供偏壓，可通過熱電阻或者紅外燈加熱到800°C。使用260l/s渦輪泵和5cfm機(jī)械前級泵可使腔體真空達(dá)到5×10^-7Torr（該系列PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)也可以升級分子泵和機(jī)械泵達(dá)到更高的真空能力）。

通過不同的樣品臺偏壓，樣品臺溫度和等離子源的組合，NANO-MASTER那諾-馬斯特的PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)可以滿足用戶非常廣泛的需求應(yīng)用。同時我們可以支持用戶大尺寸基片的PECVD沉積或者批處理沉積的量產(chǎn)應(yīng)用。
 
系統(tǒng)使用LabView可視化用戶界面，觸摸屏監(jiān)控屏幕的計算機(jī)控制，可實(shí)現(xiàn)全自動化操作。

特點(diǎn)：

** 13"鋁腔或14"不銹鋼立方腔體
** 可支持大基片或批處理應(yīng)用(腔體和離子源等均需要升級)
** 渦輪分子泵組可達(dá)到5×10Torr極限真空
** 獨(dú)家直連設(shè)計，提供最佳真空傳導(dǎo)率，8小時達(dá)到極限真空
** 等離子源：根據(jù)應(yīng)用可選射頻淋浴頭/ICP/中空陰極/微波
** 配套氣體環(huán)用于前驅(qū)體和氣體
** 樣品臺：200-950°C溫度旋轉(zhuǎn)RF/低頻RF/DC/Pulse DC偏壓
** MFC配套電拋光氣體管道和氣動截止閥
** 基于PC的全自動控制，菜單驅(qū)動
** Labview可視化用戶交互界面
** EMO保護(hù)和安全聯(lián)鎖

選配：

** ICP源用于高密度等離子，升級為ICPECVD
** 遠(yuǎn)程微波等離子源，升級為MPECVD
** 基片脈沖直流偏壓
** 低頻偏壓用于薄膜應(yīng)力控制
** 旋轉(zhuǎn)樣品臺用于涂覆3D元件
** 單片自動上下片，或Cassette-to-Cassette自動上下片
** 大尺寸基片鍍膜或批處理能力
** 樣片手動或自動翻轉(zhuǎn)，用于雙面鍍膜
** 前級泵升級為干泵
** 帶加熱管路的鼓泡器用于有機(jī)金屬化合物
** 帶毒氣監(jiān)控氣體柜用于有毒氣體
** 終點(diǎn)監(jiān)測
** 各種摻雜物(磷化氫、乙硼烷)應(yīng)用支持

應(yīng)用：

** 封裝，絕緣
** 硅的化合物
** 光子結(jié)構(gòu)
** DLC類金剛石薄膜
** CNT碳納米管—儲存器件
** SiC薄膜
** 表面鈍化層—太陽能電池
** 石墨烯—納米級電子元件
** 其它類型薄膜