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| 優(yōu)點(diǎn)： |
| 適用于絕大多數(shù)不太昂貴的解決方案 |
| 能夠使用機(jī)械手 |
| 無條件結(jié)合能夠在三種頻率下達(dá)到最大均勻性 |
| 能夠使用金屬滾筒 |
| 可以進(jìn)行活性離子刻蝕（高速刻蝕速率） |
| 阻抗匹配不需要易受干擾的金屬元器件 |
| 有效系數(shù)約為80% |
| 能夠裝置十層或以上的電極/托盤架，以滿足大產(chǎn)量 |
| 非常適合半導(dǎo)體后期處理 |
| 等離子聚合過程中較低的噴涂速率 |
| 電源易于修理 |
| 優(yōu)點(diǎn)： |
| 可以進(jìn)行活性離子刻蝕 |
| 均勻性比2.45GHz要好 |
| 在同等功率下刻蝕速率比40kHz要快 |
| 能夠使用金屬滾筒 |
| 電極/托盤架可能夠堆放，電極的對稱性非常重要 |
| 非常適合半導(dǎo)體前后期處理 |
| 等離子聚合過程中噴涂速率高 |
| 優(yōu)點(diǎn)： |
| 費(fèi)用低廉 |
| 相對堅(jiān)固耐用 |
| 在同等功率下刻蝕速率高 |
| 有效系數(shù)約為60% |
| 可以進(jìn)行電子回旋共振（高速刻蝕速率） |
| 非常適合半導(dǎo)體前后期處理 |
| 等離子聚合過程中噴涂速率高 |
| 電源易于修理 |
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