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產(chǎn)品簡介

公司推出的探針電子束光刻機(jī)P-SPL21,利用探針在近光刻膠表面發(fā)射低能電子的原理實(shí)現(xiàn)光刻效果。該系統(tǒng)的主要特點(diǎn)在于：（1）幾乎無鄰近效應(yīng)，能實(shí)現(xiàn)3-5nm線寬的超精細(xì)光刻結(jié)構(gòu)；（2）用于發(fā)射電子的探針同時(shí)具有原子力顯微鏡功能，能夠?qū)崿F(xiàn)亞納米級精準(zhǔn)定位并原位測量曝光圖型；（3）超高寫場拼接精度（≤2nm），且能夠抑制電子束長時(shí)間產(chǎn)生的空間漂移（≤5nm）。百及納米科技的探針電子束光刻系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)光刻與原子力顯微鏡表征的雙重功能，是一款理想的用于微納制造和表征尺寸小于5nm線寬結(jié)構(gòu)的一體化系統(tǒng)。

尤其是針對二維材料，探針的電子束場發(fā)射可以直接輻照在二維材料（如MoS₂，石墨烯等）表面形成感光反應(yīng)，去除曝光區(qū)的二維材料，直接顯影并呈現(xiàn)出預(yù)設(shè)的超精細(xì)結(jié)構(gòu)，達(dá)到無需使用電子束光刻膠而直接轉(zhuǎn)移圖形的效果。

技術(shù)特點(diǎn)

•   探針光刻與原子力顯微鏡一體系統(tǒng)

•   場發(fā)射低能電子束

•   大氣環(huán)境下可實(shí)現(xiàn)正負(fù)光刻            

•   幾乎消除電子束臨近效應(yīng)

•   最小線寬≤5nm，最小結(jié)構(gòu)間距 ≤2nm

•   套刻精度≤2nm，拼接精度≤2nm

•   閉環(huán)控制電子束空間漂移（≤5nm）

•   Mix & Match 混合光刻模式

•   原子力顯微鏡原位掃描光刻圖案

功能指標(biāo)