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在這個炎熱的7月，工程師們工作到深夜，為客戶安裝好了離子束刻蝕機 NIE-4000，并進行了技術(shù)培訓(xùn)，非常感謝客戶的大力支持配合及工程師們辛苦付出。
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NANO-MASTER 的NIE-4000 反應(yīng)離子束刻蝕系統(tǒng)，通過加速的 Ar 離子進行物理刻蝕或銑削、配合活性氣體可以實現(xiàn)化學(xué)反應(yīng)，可以增加離子束刻蝕的效率和選擇比。整個系統(tǒng)為獨立式的完整系統(tǒng)，可以提供高均勻性高性能的 RIBE 刻蝕工藝。系統(tǒng)采用超凈設(shè)計，可支持百級超凈間使用。
NANO-MASTER 擁有成熟的技術(shù)能力可以使基片溫度保持在 50°C 以下，可以防止光刻膠碳化。系統(tǒng)也可以選配背氦冷卻功能，達到更好的刻蝕輪廓的平滑性。通過傾斜和旋轉(zhuǎn)，深溝可以切成斜角，通過控制側(cè)壁輪廓和徑向可提高均勻度。對于超過 8 寸大尺寸的基片，我們可以提供線性離子源的方案，通過掃描的方式，實現(xiàn)均勻的離子束刻蝕或反應(yīng)離子束刻蝕。不同的構(gòu)造不同的應(yīng)用可選擇不同的選配項。對于一些易氧化的材料，我們提供磁控濺射的選配項，支持用戶在不中斷腔體工藝真空的情況下對刻蝕層鍍一層超薄層，達到抗氧化的效果。
工藝過程通過觸摸屏電腦和 LabView 軟件，可實現(xiàn)全自動的 PC控制，具有高度的可重復(fù)性，且具有友好的用戶界面。根據(jù)用戶不同的需要，我們可以提供鏡像 RAID 1 的選配項，實現(xiàn)系統(tǒng)數(shù)據(jù)的自動備份，以防止硬盤損壞帶來的數(shù)據(jù)損失。
系統(tǒng)具有完整的安全聯(lián)鎖，提供四級密碼授權(quán)訪問保護，防止使用者越權(quán)使用，含：
? 操作者權(quán)限：運行程序
? 工藝師權(quán)限：添加/編輯和刪除程序
? 工程師權(quán)限：可獨立控制子系統(tǒng)，并開發(fā)程序
? 服務(wù)權(quán)限：NM 工程師故障診斷和排除
系統(tǒng)支持不限數(shù)量的工藝菜單，每套工藝菜單可根據(jù)需要支持 1到 100 個工藝工序（步驟），可實現(xiàn)簡單操作完成復(fù)雜的工藝。
系統(tǒng)配套 Kaufman & Robinson,Inc(KRI)品牌的離子槍。作為離子槍發(fā)明者，考夫曼離子槍具有無可比擬的性能優(yōu)勢和穩(wěn)定性。為保證最核心的組件穩(wěn)定性，NIE-4000 系統(tǒng)配套 RFICP 220 型柵極離子源，以及相對應(yīng)的 RFICP1210-2-20 離子源控制器。
RFICP220 的主要優(yōu)勢特點如下：
A.等離子放電腔
-無燈絲離子化提供更低的維護，可以長期操作
-通過 RF ICP 技術(shù)可以產(chǎn)生高密度的等離子
B.離子源架構(gòu)
-模塊化組件設(shè)計使得售后服務(wù)更加容易
-內(nèi)部安裝允許使用時可以優(yōu)化離子槍投射距離，以適應(yīng)刻蝕速率和刻蝕均勻性的優(yōu)化
C.離子光學(xué)
-離子光學(xué)設(shè)計提供了準(zhǔn)直、聚焦和擴散多種模式（后兩種在開發(fā)中）
-自對準(zhǔn)技術(shù)消除了柵極對準(zhǔn)步驟，確保了高重復(fù)性的運行工藝以及更長的柵極壽命
D.電源
-通過對抗嚴(yán)格工藝環(huán)境下的功率衰減，射頻電源特性優(yōu)化了正常運行時間
-固定的匹配網(wǎng)絡(luò)增加了阻抗匹配的可靠性和響應(yīng)能力
E.中和器
-電子源沒有浸入到離子束中，允許持續(xù)更長時間的操作，
更低維護
-電子吸收被測量和控制，以確?；系碾娭泻?/span>
RFICP220 的主要性能參數(shù)指標(biāo)如下：
RF-ICP 放電腔
-電感耦合等離子
-2KW(1KW)射頻功率 @ 2MHz
-RF 自動匹配
-無真空環(huán)境下的水冷
工藝氣體
-Ar，O2，N2，CHF3 等惰性和活性氣體
離子束直徑
-電流：>800mA
-能量：100-1500eV
離子光學(xué)
-22cm 最大柵極圖案的直徑
-OptiBeam 自對準(zhǔn)
-鉬材質(zhì)
-2 或 3 層?xùn)艠O配置
-離子束形狀：準(zhǔn)直（本案）、聚焦或擴展
中和器電子源
-LFN2000（本案）
-MHC 1000（可選項）
安裝
-內(nèi)部跟真空聯(lián)通
-直接安裝——10”或 12” CF 法蘭
尺寸
-41cm 直徑 x 30cm 長度
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系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)配置包含渦輪分子泵和機械泵，極限真空可達到10-7Torr 量級(可升級到 10-8Torr 量級)。分子泵與腔體之間的直連設(shè)計，系統(tǒng)可獲得最佳真空傳導(dǎo)率。腔體壓力調(diào)節(jié)通過 PC 自動控制渦輪速度而全自動調(diào)節(jié)，快速穩(wěn)定。雙真空計配置，可實現(xiàn)真空的全局測量和精確測量。
對標(biāo)準(zhǔn)晶圓可支持單片或 25 片 Cassette 的 Auto L/UL 升級，可自動進樣、對準(zhǔn)、出樣，在不間斷工藝真空情況下連續(xù)處理樣片。Load Lock 腔體配套獨立真空系統(tǒng)，通過 PC 全自動監(jiān)控。
另外系統(tǒng)可以整合其它薄膜工藝，NM 技術(shù)可以雙腔體系統(tǒng)，在一個系統(tǒng)的兩個腔體內(nèi)完成兩種不同的工藝，若加上自動傳輸，還可實現(xiàn)整個處理過程都不打破彼此真空狀態(tài)，實現(xiàn)非常高效的工藝處理。
典型應(yīng)用：
? 三族和四族光學(xué)元件
? 激光光柵
? 高深寬比的光子晶體刻蝕
? 在二氧化硅、硅和金屬上深溝刻蝕
? 微流體傳感器電極及測熱式微流體傳感器
設(shè)備特點：
? 14”立方型不銹鋼離子束腔體
? 8”門，5”觀察視窗，預(yù)留端口用于擴展 OES 或 SIMS
? 最大支持 8”晶圓(可定做更大尺寸)
? 考夫曼 RFICP220 型離子槍，100-1500V，800mA
? 均勻性優(yōu)于+/-3%。
? 離子槍電源：2KW 或 1KW 電源
? 配套 Ar、O2、CHF3 和 N2(可根據(jù)需要通過軟件校準(zhǔn)為氣體氣體使用) MFC，支持 IBE 和 RIBE 刻蝕應(yīng)用
? 反應(yīng)性氣體通過靶槍的長度方向引入，均勻分布
? 冷卻水冷卻（背氦冷卻可選）
? 步進電機控制離子槍掃描或樣品臺旋轉(zhuǎn)/傾斜
? 手動或自動(自動僅對標(biāo)準(zhǔn)晶圓)上下載晶圓片
? 配套 1250L/Sec 渦輪分子泵，串接 Anest Iwata ISP-500 干泵
? 極限真空可達 8×10-8Torr
? 下游壓力通過 PC 對分子泵渦輪速度的控制自動調(diào)節(jié)
? 基于 LabVIEW 軟件的計算機全自動工藝控制
? 菜單驅(qū)動，密碼保護，完全的安全聯(lián)鎖
? 緊湊型設(shè)計，占地面積僅 28”D x 44”W, 節(jié)省空間
系統(tǒng)可選：
? 光譜終點探測器
? 氦氣背部冷卻
? 更大尺寸的電鍍方形腔體
? 低溫泵組
? 附加反應(yīng)氣體質(zhì)量流量控制器
? SiN4 磁控濺射保護被刻蝕金屬表面以防氧化
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