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ASML光刻機(jī)型號(hào)與性能詳解

ASML是全球領(lǐng)先的光刻機(jī)制造商，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造，尤其是高端芯片的生產(chǎn)。以下是ASML主要光刻機(jī)型號(hào)及其性能的詳細(xì)介紹：

1. 深紫外（DUV）光刻機(jī)

(1) 干式光刻機(jī)

型號(hào): TWINSCAN XT系列（如XT:1900Gi, XT:2000i）

光源: 248nm（KrF激光）或193nm（ArF激光）

分辨率: 約38nm（單次曝光）

應(yīng)用: 成熟制程（如90nm至28nm節(jié)點(diǎn)）

特點(diǎn): 成本較低，適用于中低端芯片制造。

(2) 浸沒式光刻機(jī)

型號(hào): TWINSCAN NXT系列（如NXT:1980Di, NXT:2050i）

光源: 193nm（ArF浸沒式）

分辨率: 約38nm（單次曝光），通過多重曝光可支持7nm-10nm節(jié)點(diǎn)。

產(chǎn)能: 高達(dá)275片晶圓/小時(shí)（NXT:2050i）。

應(yīng)用: 7nm及以上制程（如汽車芯片、IoT設(shè)備等）。

特點(diǎn): 浸沒式技術(shù)通過水介質(zhì)提升分辨率，是目前成熟制程的主流設(shè)備。

2. 極紫外（EUV）光刻機(jī)

(1) 第一代EUV

型號(hào): TWINSCAN NXE:3400B/C

光源: 13.5nm極紫外光（EUV）

分辨率: 13nm（單次曝光），支持5nm-7nm制程。

產(chǎn)能: 約170片晶圓/天（NXE:3400C）。

應(yīng)用: 5nm-7nm邏輯芯片（如手機(jī)處理器、AI芯片）。

(2) 第二代EUV（High-NA EUV）

型號(hào): TWINSCAN NXE:3600D（2021年推出）及下一代EXE:5000系列

光源: 13.5nm EUV，數(shù)值孔徑（NA）從0.33提升至0.55。

分辨率: 8nm（單次曝光），支持2nm及以下制程。

產(chǎn)能: 目標(biāo)提升至220片晶圓/天（EXE:5000）。

應(yīng)用: 未來3nm、2nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。

特點(diǎn): High-NA技術(shù)大幅提升精度，但成本極高（單臺(tái)超3億美元）。

3. 特殊應(yīng)用光刻機(jī)

型號(hào): TWINSCAN XT:860N（用于封裝）

光源: 365nm（i-line）

應(yīng)用: 芯片封裝、MEMS制造等后道工藝。

特點(diǎn): 大視場曝光，適合高產(chǎn)量封裝需求。

關(guān)鍵性能對比

技術(shù)趨勢

• EUV主導(dǎo)先進(jìn)制程: 3nm以下芯片必須依賴High-NA EUV
• DUV持續(xù)需求: 成熟制程（如28nm）仍依賴浸沒式DUV，尤其受地緣政治影響（如中國擴(kuò)產(chǎn)成熟制程）。
• 產(chǎn)能與成本平衡: EUV設(shè)備維護(hù)復(fù)雜，客戶需權(quán)衡技術(shù)升級(jí)與投資回報(bào)。