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ASML光刻機(jī)主要型號(hào)及參數(shù)

以下是ASML（阿斯麥）目前主要的光刻機(jī)型號(hào)及其關(guān)鍵參數(shù)的詳細(xì)列表，涵蓋DUV（深紫外）和EUV（極紫外）兩大技術(shù)路線：

一、EUV光刻機(jī)（極紫外光刻）

1. TWINSCAN NXE:3600D

波長: 13.5 nm（EUV）

分辨率: ≤13 nm（單次曝光）

套刻精度: ≤1.1 nm

產(chǎn)能: 160片/小時(shí)（300mm晶圓）

NA（數(shù)值孔徑）: 0.33

應(yīng)用: 5nm及以下節(jié)點(diǎn)邏輯芯片、3D NAND存儲(chǔ)。

2. TWINSCAN NXE:3800E（2023年推出）

波長: 13.5 nm

分辨率: ≤8 nm（支持High-NA技術(shù)）

NA: 0.55（High-NA）

產(chǎn)能: 185片/小時(shí)

特點(diǎn): 首款High-NA EUV光刻機(jī)，用于2nm及以下工藝。

3. TWINSCAN NXE:3400C（早期型號(hào)）

分辨率: ≤16 nm

產(chǎn)能: 125片/小時(shí)

NA: 0.33

應(yīng)用: 7nm/5nm工藝研發(fā)。

二、DUV光刻機(jī)（深紫外光刻）

1. ArFi 光刻機(jī)（浸沒式）

TWINSCAN NXT:2050i

波長: 193 nm（ArF激光）

分辨率: ≤38 nm（浸沒式）

套刻精度: ≤2.5 nm

產(chǎn)能: 275片/小時(shí)

NA: 1.35

應(yīng)用: 7nm/10nm工藝多重曝光。

TWINSCAN NXT:2000i

分辨率: ≤40 nm

產(chǎn)能: 250片/小時(shí)

特點(diǎn): 成熟型號(hào)，廣泛用于成熟制程。

2. ArF 干式光刻機(jī)

TWINSCAN XT:1460K

分辨率: ≤65 nm

產(chǎn)能: 180片/小時(shí)

NA: 0.93

應(yīng)用: 成熟制程（如28nm以上）。

3. KrF 光刻機(jī)

TWINSCAN XT:860N

波長: 248 nm（KrF激光）

分辨率: ≤80 nm

產(chǎn)能: 300片/小時(shí)

應(yīng)用: MEMS、模擬芯片、功率器件。

4. i-line 光刻機(jī)

TWINSCAN XT:400L

波長: 365 nm

分辨率: ≤220 nm

產(chǎn)能: 350片/小時(shí)

應(yīng)用: 封裝、傳感器、傳統(tǒng)半導(dǎo)體。

三、特殊型號(hào)

PAS 5500系列（早期型號(hào)，已逐步淘汰）

YieldStar 量測系統(tǒng)：配套光刻機(jī)的計(jì)量設(shè)備，用于實(shí)時(shí)檢測套刻誤差和關(guān)鍵尺寸。

四、關(guān)鍵參數(shù)對(duì)比表

五、注意事項(xiàng)

技術(shù)限制：

1.EUV光刻機(jī)受限于光源功率和掩模缺陷，產(chǎn)能較低且成本極高（單臺(tái)超3億美元）。

2.DUV光刻機(jī)通過多重曝光可實(shí)現(xiàn)7nm，但工藝復(fù)雜度大幅增加。

出口管制：

• 部分高端型號(hào)（如EUV）受《瓦森納協(xié)定》限制，無法向中國出口。

最新動(dòng)態(tài)：

1.ASML正在研發(fā)下一代Hyper-NA EUV（NA≥0.7），目標(biāo)2030年商用。