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CANON光刻機(jī)主要型號(hào)及參數(shù)詳解
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CANON光刻機(jī)主要型號(hào)及參數(shù)詳解
CANON(佳能)的光刻機(jī)雖然在市場(chǎng)份額上不如ASML,但在特定領(lǐng)域(如IC前道、后道封裝、面板顯示等)仍有一定競(jìng)爭(zhēng)力。以下是佳能主要光刻機(jī)型號(hào)及參數(shù)的詳細(xì)解析,分為前道制程和后道/其他應(yīng)用兩大類(lèi):
佳能的前道光刻機(jī)主要采用步進(jìn)式(Stepper)和掃描式(Scanner)技術(shù),但技術(shù)節(jié)點(diǎn)相對(duì)ASML較落后,主要面向成熟制程。
型號(hào):FPA-8000iW / FPA-8000AS
關(guān)鍵技術(shù):
分辨率:≤65nm(搭配多重曝光可延伸至40nm)
曝光方式:步進(jìn)重復(fù)式(Stepper)
光源:KrF(248nm)或 i-line(365nm)
晶圓尺寸:200mm(8英寸)或300mm(12英寸)
產(chǎn)能:約100-120片/小時(shí)(300mm晶圓)
應(yīng)用:成熟制程邏輯芯片、模擬芯片、功率器件等。
型號(hào):FPA-3000EX4 / FPA-3000EX6
特點(diǎn):
分辨率:0.35μm(i-line)或0.18μm(KrF)
晶圓尺寸:200mm(8英寸)
定位:低端IC、MEMS、傳感器制造。
佳能在封裝、面板(FPD)和PCB領(lǐng)域技術(shù)更成熟,市場(chǎng)份額較高。
型號(hào):MPA-8000 / MPA-6000
基板尺寸:Gen 8.6(2250×2600mm)至Gen 10.5(2940×3370mm)
分辨率:3-5μm(OLED/LCD面板制造)
技術(shù):采用投影曝光或接觸式曝光。
型號(hào):FPA-5520iV / FPA-3030iWa
分辨率:1-2μm(適用于Flip Chip、TSV等先進(jìn)封裝)
對(duì)準(zhǔn)精度:±0.5μm
光源:i-line或KrF。
佳能近年通過(guò)收購(gòu)Molecular Imprints(MII)布局納米壓印技術(shù),試圖繞過(guò)EUV技術(shù)壁壘:
型號(hào):FPA-1200NZ2C
分辨率:<10nm(理論極限)
應(yīng)用:NAND閃存、光子器件等。
優(yōu)勢(shì):無(wú)需復(fù)雜光學(xué)系統(tǒng),成本低,但量產(chǎn)速度較慢。
參數(shù) |
佳能(CANON) |
ASML |
技術(shù)節(jié)點(diǎn) |
65nm以上(光學(xué))/<10nm(NIL) |
5nm以下(EUV) |
光源類(lèi)型 |
i-line/KrF |
KrF/ArF/EUV |
主要市場(chǎng) |
封裝/面板/成熟制程 |
高端邏輯/存儲(chǔ)芯片 |
產(chǎn)能 |
中低 |
高 |
1. 技術(shù)落后:缺乏EUV和高端DUV技術(shù),無(wú)法支持7nm以下制程。
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