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SII 納米級(jí)定位單離子注入系統(tǒng)
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ParcanNano 納米級(jí)精準(zhǔn)定位的單離子注入系統(tǒng) SII
公司以全球獨(dú)家專(zhuān)利的針尖技術(shù)為核心競(jìng)爭(zhēng)力，技術(shù)源自于德國(guó)伊爾默瑙工業(yè)大學(xué)，致力于主動(dòng)式針尖技術(shù)在微納米結(jié)構(gòu)制備和表征方面的研發(fā)，及其相關(guān)設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化。
ParcanNano 百級(jí)納米級(jí)精準(zhǔn)定位的單離子注入系統(tǒng)SII 基于新型掃描針尖精準(zhǔn)定位的離子注入系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)有效控制注入半導(dǎo)體器件的雜質(zhì)種類(lèi)、數(shù)量和位置?？捎糜诨陔婋x雜質(zhì)誘導(dǎo)的量子點(diǎn)所構(gòu)建的量子信息領(lǐng)域，研制的設(shè)備可用于探索納米結(jié)構(gòu)器件、量子比特系統(tǒng)和量子信息處理器電路的開(kāi)發(fā)。
公司申請(qǐng)的一項(xiàng)革命性發(fā)明專(zhuān)利，解決了注入離子由于晶格散射帶來(lái)的位置不確定性問(wèn)題，大幅減少離子注入后的擴(kuò)散，顛覆性地將注入離子在晶體中位置的誤差縮減到10nm以下，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)精確定位注入摻雜離子。
產(chǎn)品擁有美國(guó)加州伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室、澳大利亞墨爾本大學(xué)、德國(guó)萊比錫大學(xué)、德國(guó)波鴻大學(xué)等國(guó)際知名科研客戶(hù)。
技術(shù)特點(diǎn)：
。精確定位定量離子注入
。錐形電場(chǎng)稀釋和準(zhǔn)直離子束
。橫向電場(chǎng)形成離子閘門(mén)
應(yīng)用領(lǐng)域：
。功能材料定位定量摻雜
。納米尺度功能器件制備
。固態(tài)量子信息技術(shù)
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