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法國Annealsys 高 溫退火爐AS-ONE

Versatile Rapid Thermal Processing system for silicon, compound semiconductors, solar cells & MEMS 多用途快速熱處理設(shè)備，適用于硅，化合物半導(dǎo)體，太陽能電池& MEMS

Up to 1450°C (100HT version), up to 200°C/s, high vacuum capability, fast cooling option 最 高 溫度到1450℃（100HT版本）, 升溫速率最 大200℃/s, 高 真空性能，快 速冷卻選項

Applications 應(yīng)用

. Implant annealing  注入退火

. Ohmic contact annealing (III-V and SiC) 歐姆接觸退火(III-V 和SiC）

. Rapid Thermal Oxidation (RTO) 快速熱氧化(RTO)

. Rapid Thermal Nitridation (RTN)  快速熱氮化 (RTN)

. Selenization (CIGS solar cells)  硒化（CIGS太陽能電池） 

. CVD of graphene 石墨烯CVD

. Silicon carbonization 碳化硅

. Sol-gel densification and crystallization 溶膠凝膠致密性和結(jié)晶化

. Diffusion from spin-on dopants 從旋涂摻雜物擴(kuò)散 

.Etc. 等等

Substrate types 基片類型

• Silicon wafers硅片

• Compound semiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片

• GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍(lán)寶石基片

• Silicon carbide wafers碳化硅基片

• Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片

• Glass substrates玻璃基片

• Metals金屬

• Polymers聚合物

• Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基片托

• Etc等等

Key Features 主要特性

• Infrared halogen tubular lamp furnace with silent fan cooling •配有無聲風(fēng)扇冷卻的紅外鹵素管燈退火爐

• Stainless steel cold wall chamber technology •不銹鋼冷壁腔室技術(shù)

• Fast digital PID temperature controller •快速數(shù)字PID溫度控制器

• Thermocouple and pyrometer control •熱電偶和高溫計控制

• Atmospheric and vacuum process capability •常壓和真空下工藝性能

• Purge gas line with needle valve •配有針閥的吹掃氣路

• Up to 5 process gas lines with digital MFC •最多5路工藝氣路配有數(shù)字MFC控制器

• PC control with Ethernet communication for fast data logging •配有以太網(wǎng)通訊的PC控制，用于快速數(shù)據(jù)記錄

• Optional turbo pump and pressure control •可選分子泵和壓力控制

Floor standing system for reduced footprint 減少占地空間的立式設(shè)備