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Syskey 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 PECVD

我們生產(chǎn)用于的 PECVD 系統(tǒng),  氣體管線可實(shí)現(xiàn)硅基材料沉積。全自動(dòng)作支持一鍵工序。

配置和優(yōu)勢(shì)：

• 靈活的基板尺寸可達(dá) 12 英寸
• 基板支架加熱至 400 °C
• 優(yōu)異的薄膜均勻性，低于 ±5%
• 6 條反應(yīng)性氣體管路，適用于 SiO2、Si3N4 沉積
• 用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜
• 負(fù)載鎖定是可選的
• 等離子自清潔是可選的
• TEOS 工藝是可選的